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BD539A-S

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功能描述
兩極晶體管 - BJT 60V 5A NPN
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶體管極性
PNP
集電極—基極電壓 VCBO
集電極—發射極最大電壓 VCEO
- 40 V
發射極 - 基極電壓 VEBO
- 6 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流
增益帶寬產品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作溫度
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
PowerFLAT 2 x 2

BD539A-S 技術參數

BD538KTU 功能描述:TRANS PNP 80V 8A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 600mA，6A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 2A，2V 功率 - 最大值:50W 頻率 - 躍遷:12MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,000 BD538K 功能描述:TRANS PNP 80V 8A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 600mA，6A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 2A，2V 功率 - 最大值:50W 頻率 - 躍遷:12MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,200 BD538J 功能描述:TRANS PNP 80V 8A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 600mA，6A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 2A，2V 功率 - 最大值:50W 頻率 - 躍遷:12MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,200 BD537KTU 功能描述:TRANS NPN 80V 8A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 2A，2V 功率 - 最大值:50W 頻率 - 躍遷:12MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,000 BD537K 功能描述:TRANS NPN 80V 8A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 2A，2V 功率 - 最大值:50W 頻率 - 躍遷:12MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,200 BD5423AEFS-E2 BD5423EFS-E2 BD5423MUV-E2 BD5424EFS-E2 BD5426EFS-E2 BD5426MUV-E2 BD5427EFS-E2 BD5427MUV-E2 BD5431EFS-E2 BD543B-S BD543C-S BD5444EFV-E2 BD5445EFV-E2 BD5446EFV-E2 BD544A-S BD544C-S BD544-S BD5451EFV-E2