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APTMC60TL11CT3AG

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批號
價格
說明
操作

APTMC60TL11CT3AG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
SP3
23+
-
微芯專營優勢產品

APTMC60TL11CT3AG
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
15
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

1/1頁 40條/頁共9條
1

您是不是要找： APTMC60TLM14CAG APTMC60TLM55CT3AG APTML1002U60R020T3AG APTML100U60R020T1AG APTML102UM09R004T3AG APTML10UM09R004T1AG APTML202UM18R010T3AG APTML20UM18R010T1AG APTML502UM90R020T3AG

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APTMC60TL11CT3AG PDF下載

制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER MOD MOSFET INV SP3
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Three level inverter 1200V 98mOhm SiC Power Module MOSFET
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES

APTMC60TL11CT3AG 技術參數

APTMC170AM60CT1AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1700V 53A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道（相角） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1700V（1.7kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:53A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 50A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 2.5mA（標準）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:190nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3080pF @ 1000V 功率 - 最大值:350W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTMC170AM30CT1AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1700V 106A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道（相角） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1700V（1.7kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:106A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 100A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 5mA（標準）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:380nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6160pF @ 1000V 功率 - 最大值:700W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTMC120TAM34CT3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC MOSFET 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:74A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 50A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 15mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:161nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2788pF @ 1000V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTMC120TAM33CTPAG 功能描述:MOSFET 6N-CH 1200V 78A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:78A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:33 毫歐 @ 60A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 3mA（標準）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:148nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2850pF @ 1000V 功率 - 最大值:370W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTMC120TAM17CTPAG 功能描述:MOSFET 6N-CH 1200V 147A SP6P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:147A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 100A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 20mA（標準）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:322nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5600pF @ 1000V 功率 - 最大值:625W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTML50UM90R020T1AG APTML602U12R020T3AG APTML60U12R020T1AG APTR3216CGCK APTR3216EC APTR3216MGC APTR3216PBC/A APTR3216QBC/D APTR3216QWF/D APTR3216SECK APTR3216SGC APTR3216SRCPRV APTR3216SURCK APTR3216SYCK APTR3216YC APTR3216ZGC APTR3216ZGCK APTRG8A120G