亚洲国产日韩av_精品久久久久久无码中文野结衣_日韩一区视频在线_亚洲视频狠狠_丝袜国产在线_毛片在线免费播放_中文字幕1区2区_亚洲国产综合自拍_在线中文字幕日韩_不卡的av在线播放

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > A字母型號搜索 > A字母第2557頁 >

APT60M80L2VRG

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT60M80L2VRG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
TO-264-3
23+
-
微芯專營優勢產品

APT60M80L2VRG
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
APT
264MAXL2
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！

1/1頁 40條/頁共11條
1

您是不是要找： APT60N60BCSG APT60N60SCSG APT60N60SCSG/TR APT60S20B2CTG APT60S20BG APT60S20SG APT60S20SG/TR APT64GA90B APT64GA90B2D30

APT60M80L2VRG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APT60M80L2VRG PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> FET - 單
系列
POWER MOS V®
標準包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C
18A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件

APT60M80L2VRG 技術參數

APT60M80JVR 功能描述:MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:55A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:80 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:870nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14500pF @ 25V 功率 - 最大值:568W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT60M75L2LLG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:73A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 36.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:195nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8930pF @ 25V 功率 - 最大值:893W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應商器件封裝:264 MAX? [L2] 標準包裝:1 APT60M75L2FLLG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:73A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 36.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:195nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8930pF @ 25V 功率 - 最大值:893W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應商器件封裝:264 MAX? [L2] 標準包裝:1 APT60M75JVR 功能描述:MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:62A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1050nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:19800pF @ 25V 功率 - 最大值:700W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT60M75JVFR 功能描述:MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:62A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 31A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1050nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:19800pF @ 25V 功率 - 最大值:700W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT64GA90LD30 APT65GP60B2G APT65GP60J APT65GP60L2DQ2G APT66F60B2 APT66F60L APT66M60B2 APT66M60L APT68GA60B APT68GA60B2D40 APT68GA60LD40 APT6M100K APT70GR120B2 APT70GR120J APT70GR120JD60 APT70GR120L APT70GR65B APT70GR65B2DU40