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AOWF7S65

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

AOWF7S65
深圳市深美諾電子科技有限公司
深圳市深美諾電子科技有限公司
聯系人：李燕兵
電話：82525918
地址：深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室
資質：營業執照
6000
AOS
TO-262F
22+
-
全新原裝現貨供應

AOWF7S65
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
AOS
TO-262F
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

AOWF7S65
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
聯系人：汪小姐
電話：19240207240
地址：華強北都會軒4507
資質：營業執照
30000
AOS/萬代
TO-262F
24+
-
原裝正品，可含稅供應。品質保障

AOWF7S65
深圳市寶芯創電子有限公司
深圳市寶芯創電子有限公司
聯系人：田女生
電話：0755-83228629
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1002號賽格廣場45層4503B★公司為一般納稅人，可開正規13%專
資質：營業執照
59990
AO/萬代
TO-262F
17+
-
100%原裝，誠信為本，等你咨詢！

1/1頁 40條/頁共33條
1

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功能描述
MOSFET N-CH 650V 7A TO262F
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> FET - 單
系列
aMOS™
標準包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C
18A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件

AOWF7S65 技術參數

AOWF7S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:600 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:372pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:* 標準包裝:1,000 AOWF4S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:900 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:263pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:* 標準包裝:1,000 AOWF4N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.3 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:640pF @ 25V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:* 標準包裝:1,000 AOWF412 功能描述:MOSFET N-CH 100V 7.8A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7.8A（Ta），30A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15.8 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:54nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3220pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:* 標準包裝:1,000 AOWF296 功能描述:MOSFET N-CH 100V 37A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:37A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:52nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2785pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:26W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.7 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-262F 封裝/外殼:TO-262-3 整包，I2Pak 標準包裝:50 AOY528 AOZ1012DI AOZ1014AI AOZ1014DI AOZ1015AI AOZ1016AI AOZ1016AIL AOZ1017AI AOZ1019AI AOZ1020AI AOZ1020AIL AOZ1021AI AOZ1021AIL AOZ1021HAIL_2 AOZ1022DI AOZ1022DI-01 AOZ1022PI AOZ1024DI