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AOTF10B65M1

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

AOTF10B65M1
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
TO-220F
25+
-
國產品牌，替代進口

AOTF10B65M1
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品進口現貨電話010-62104...

AOTF10B65M1
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5000
ALPHA & O
管件
1521+
-
全新原裝現貨

AOTF10B65M1
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
聯系人：汪小姐
電話：19240207240
地址：華強北都會軒4507
資質：營業執照
30000
AOS/萬代
TO220F
24+
-
原裝正品，可含稅供應。品質保障

AOTF10B65M1
深圳市寶芯創電子有限公司
深圳市寶芯創電子有限公司
聯系人：田女生
電話：0755-83228629
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1002號賽格廣場45層4503B★公司為一般納稅人，可開正規13%專
資質：營業執照
59990
AO/萬代
TO-220F
17+
-
100%原裝，誠信為本，等你咨詢！

1/1頁 40條/頁共13條
1

您是不是要找： AOTF10B65M2 AOTF10N50FD AOTF10N50FD_001 AOTF10N60 AOTF10N60_003 AOTF10N60_006 AOTF10N60L_002 AOTF10N65 AOTF10N90

AOTF10B65M1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

AOTF10B65M1 PDF下載

功能描述
IGBT 650V 10A TO220
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
Alpha IGBT??
包裝
管件
零件狀態
有效
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
20A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
30A
不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）
2V @ 15V，10A
功率 - 最大值
30W
開關能量
180μJ（開），130μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
24nC
25°C 時 Td（開/關）值
12ns/91ns
測試條件
400V，10A，30 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
263ns
封裝/外殼
TO-220-3
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220
標準包裝
1,000

AOTF10B65M1 技術參數

AOTF10B60D2 功能描述:IGBT 600V 10A TO-220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 零件狀態:在售 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:23A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.8V @ 15V， 5A 功率 - 最大值:31.2W 開關能量:140μJ（開），40μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:9.4nC 25°C 時 Td（開/關）值:12ns/83ns 測試條件:400V，5A，60 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:98ns 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:50 AOTF10B60D 功能描述:IGBT 600V 20A 42W Through Hole TO-220-3F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):40A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.8V @ 15V，10A 功率 - 最大值:42W 開關能量:260μJ（開），70μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:17.4nC 25°C 時 Td（開/關）值:10ns/72ns 測試條件:400V，10A，30 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:105ns 封裝/外殼:TO-220-3 整包安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:1,000 AOT9N70 功能描述:MOSFET N-CH 700V 9A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:700V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.2 歐姆 @ 4.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1630pF @ 25V 功率 - 最大值:236W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,000 AOT9N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 9A TO-220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:850 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:28nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1042pF @ 25V 功率 - 最大值:192W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,000 AOT9N40L 功能描述:MOSFET N-CH 400V 8A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:800 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:760pF @ 25V 功率 - 最大值:132W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 AOTF10T60 AOTF10T60_001 AOTF10T60L AOTF10T60P AOTF10T60PL AOTF11C60 AOTF11C60_001 AOTF11C60P AOTF11C60P_001 AOTF11C60PL AOTF11N60L AOTF11N62 AOTF11N62L AOTF11N70 AOTF11S60 AOTF11S60L AOTF11S65L AOTF12N30