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AON6232A

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型號
供應商
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封裝
批號
價格
說明
操作

AON6232A
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
14980
ALPHA & O
剪切帶（CT
1521+
-
全新原裝現貨

AON6232A
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
AOS
DFN5x6
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

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功能描述
MOSFET N-CH 40V 35A 8DFN
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
40V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
35A（Ta），85A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
2.9 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
60nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
3250pF @ 20V
功率 - 最大值
6.2W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerSMD，扁平引線
供應商器件封裝
8-DFN（5x6）
標準包裝
1

AON6232A 技術參數

AON6232 功能描述:MOSFET N-CH 40V 22A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:22A（Ta），85A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:51nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3800pF @ 20V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應商器件封裝:8-DFN（5x6）標準包裝:1 AON6230 功能描述:MOSFET N-CH 40V 57.5A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:57.5A（Ta），85A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.44 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:114nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6050pF @ 20V 功率 - 最大值:7.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應商器件封裝:8-DFN（5x6）標準包裝:3,000 AON6226 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 100V 48A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:48A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:60nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3130pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:108W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.9 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-DFN（5x6）封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線標準包裝:3,000 AON6224 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 100V 34A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:34A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:50nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2420pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:56.5W (Tc) 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-DFN（5x6）封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線標準包裝:3,000 AON6220 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 100V 48A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:48A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:95nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4525pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:113.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.2 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-DFN（5x6）封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線標準包裝:2,500 AON6262E AON6264E AON6266 AON6266_101 AON6266E AON6268 AON6270 AON6276 AON6278 AON6280 AON6282 AON6284 AON6284A AON6290 AON6292 AON6294 AON6298 AON6312