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AOD5T40P_101

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AOD5T40P_101 PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH DPAK
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
零件狀態
最後搶購
FET 類型
N 溝道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
400V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
3.9A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
9nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
273pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
52W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
1.45 歐姆 @ 1A，10V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應商器件封裝
TO-252，（D-Pak）
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
標準包裝
2,500

AOD5T40P_101 技術參數

AOD5T40P 功能描述:MOSFET N-CH 400V 3.9A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.9A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.45 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:273pF @ 100V 功率 - 最大值:52W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:TO-252，（D-Pak）標準包裝:1 AOD5N50M 功能描述:MOSFET N-CH DPAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態:最後搶購 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:14nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:670pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:104W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 2.5A，10V 工作溫度:-50°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-252，（D-Pak）封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標準包裝:2,500 AOD5N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:670pF @ 25V 功率 - 最大值:104W 工作溫度:-50°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:TO-252，（D-Pak）標準包裝:2,500 AOD5N40 功能描述:MOSFET N-CH 400V 4.2A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.2A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:400pF @ 25V 功率 - 最大值:78W 工作溫度:-50°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:TO-252，（D-Pak）標準包裝:1 AOD5B65N1 功能描述:IGBT 650V 5A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 零件狀態:在售 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):15A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，5A 功率 - 最大值:52W 開關能量:81μJ (開), 49μJ (關) 輸入類型:標準柵極電荷:9.2nC 25°C 時 Td（開/關）值:8ns/73ns 測試條件:400V，5A，60 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:170ns 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 供應商器件封裝:TO-252，（D-Pak）標準包裝:2,500 AOD6N50 AOD7B65M3 AOD7N60 AOD7N65 AOD7S60 AOD7S65 AOD8N25 AOD9N40 AOD9N50 AOD9T40P AOE6922 AOE6930 AOE6932 AOE6936 AO-FMEM-SMAM AO-FME-SMA AOH3106 AOH3110