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AOB266L

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型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

AOB266L
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無(wú)錫市新區(qū)新梅路68號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
D2PAK/TO-263
25+
-
國(guó)產(chǎn)品牌，替代進(jìn)口

AOB266L
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯(lián)系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座27樓2702號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
50008
YXYBDT臺(tái)灣
TO-263
2025+
-
代理臺(tái)灣YXYBDT.現(xiàn)貨

AOB266L
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
AOS
SMD
最新批號(hào)
-
一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

AOB266L
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
聯(lián)系人：汪小姐
電話：19240207240
地址：華強(qiáng)北都會(huì)軒4507
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
30000
AOS/萬(wàn)代
TO-263
24+
-
原裝正品，可含稅供應(yīng)。品質(zhì)保障

1/2頁(yè) 40條/頁(yè) 共45條
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AOB266L PDF下載

功能描述
MOSFET N CH 60V 140A TO263
RoHS
是
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220FP
包裝
管件

AOB266L 技術(shù)參數(shù)

AOB264L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 19A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:19A（Ta），140A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:94nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8400pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263（D2Pak）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOB262L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 20A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Ta），140A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.8 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:115nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:9800pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263（D2Pak）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOB2618L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 23A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A（Ta），23A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:950pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263（D2Pak）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOB260L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 20A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Ta），140A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.2 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:14200pF @ 30V 功率 - 最大值:1.9W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263（D2Pak）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOB2608L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 72A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A（Ta），72A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.6 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2995pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263（D2Pak）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOB290L AOB2910L AOB2918L AOB292L AOB296L AOB298L AOB29S50L AOB409L AOB411L AOB411L_001 AOB412L AOB414 AOB414_001 AOB416 AOB418 AOB4184 AOB42S60L AOB440

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